
主动器件之所以被称为“主动”,是因为其内部结构允许其在外部激励下主动调控电流或电压。这主要依赖于半导体材料的非线性特性,尤其是PN结的单向导电性和载流子注入效应。
以双极型晶体管(BJT)为例:
MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)则通过栅极电压控制沟道导通,具有高输入阻抗和低功耗优势,广泛应用于现代集成电路中。
现代集成电路(IC)本质上是由大量主动器件(如晶体管)集成在单一硅片上构成的复杂系统。例如:
这些系统高度依赖主动器件的精确控制与高速响应能力。
尽管主动器件功能强大,但也面临一些技术挑战:
因此,研发新型半导体材料(如氮化镓GaN、碳化硅SiC)成为提升主动器件性能的重要方向。
随着人工智能、物联网、自动驾驶等新兴领域的兴起,对主动器件提出了更高要求:
可以预见,主动器件将继续引领电子技术的革新,成为推动数字化社会发展的核心驱动力。
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